15 января 2016 года исполняется 80 лет выдающемуся ученому, научному руководителю Института ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН, академику Александру Николаевичу Скринскому.
15 января в ИЯФ СО РАН начнется международный семинар, посвященный юбилею А.Н. Скринского. В его программе – выступления ведущих ученых из крупнейших международных центров в области физики высоких энергий – лабораторий CERN (Швейцария), КЕК (Япония), GSI-FAIR (Германия), ОИЯИ (Россия, Дубна), а также из ИЯФ СО РАН. В своих докладах коллеги и ученики Александра Николаевича расскажут о важнейших направлениях исследований юбиляра и полученных результатах, которые в значительной степени способствовали формированию современной физики высоких энергий, развитию мировой науки и высоких технологий.
Директор ИЯФ СО РАН, член-корреспондент РАН Павел Владимирович Логачев отметил роль своего предшественника в развитии института: «А.Н. Скринский сохранил и преумножил научные направления, заложенные его учителем – основателем Института академиком Андреем Михайловичем Будкером, – сказал П.В.Логачев. – Вместе с ним и другими коллегами он участвовал в пионерских, поистине прорывных работах по развитию метода встречных пучков, созданию одного из первых в мире коллайдеров ВЭП-1. Тогда это были работы первопроходцев, сегодня же ускорители со встречными пучками стали главным инструментом физики элементарных частиц. Благодаря этим работам в нашем институте сформировались сильнейшие научные школы, известные во всем мире. Усилия А.Н. Скринского в должности секретаря Отделения ядерной физики Академии наук позволили целому ряду российских институтов плодотворно участвовать в крупнейших международных проектах в области физики элементарных частиц, в том числе – в исследованиях на Большом адронном коллайдере в ЦЕРН, экспериментах на B-фабриках в США и Японии. А.Н.Скринский воспитал талантливых учеников, вместе с которыми он сделал наш институт таким, какой он есть сегодня – самым крупным в системе РАН-ФАНО, открытым, динамичным, привлекательным для российских и международных исследователей, молодых ученых».
Поздравления с юбилеем А.Н.Скринскому направили руководитель ФАНО России М.М.Котюков, президент РАН В.Е.Фортов, руководители министерств и ведомств, области, города, депутатского корпуса, научных организаций и вузов. Со всех концов мира поступают многочисленные поздравления и приветствия от коллег и учеников юбиляра.
Справка об академике Александре Николаевиче Скринском
Александр Николаевич Скринский – выдающийся ученый-физик, академик РАН, научный руководитель новосибирского Института ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, один из ведущих в мире специалистов в области физики ускорителей заряженных частиц и высоких энергий.
Под руководством и при непосредственном участии А.Н.Скринского был реализован метод встречных пучков, созданы одни из первых в мире установки со встречными электрон-электронными (ВЭП-1, 1964 г.) и электрон-позитронными (ВЭПП-2, 1966 г.) пучками. На них был проведен цикл экспериментов по квантовой электродинамике (1965-1967), по исследованию лёгких векторных мезонов и впервые обнаружено множественное рождение адронов в электрон-позитронной аннигиляции (1967-1970).
Здесь же были выполнены пионерские работы в области физики ускорителей по изучению коллективных эффектов в накопительных кольцах, впервые обнаружены когерентные продольные и поперечные неустойчивости, исследован механизм их возникновения, предложены и реализованы способы их подавления.
Плодотворным оказалось инициированное А.Н.Скринским (1966 г.) направление работ по получению поляризованных пучков электронов и позитронов в накопителях и их использованию для физики элементарных частиц и ядерной физики. Важным приложением этих исследований стала реализация в 1975 году (впервые в мире) метода прецизионного измерения масс элементарных частиц с помощью резонансной деполяризации электрон-позитронных встречных пучков. Предложенный способ позволил с беспрецедентной точностью – до трех миллионных долей! - измерить массы элементарных частиц в широком диапазоне энергии.
Важным этапом развития физики ускорителей стал метод электронного охлаждения, предложенный Г.И.Будкером в 1967 г. А.Н.Скринский вместе с сотрудниками развили теорию электронного охлаждения, а в 1974 году они получили его экспериментальное подтверждение. Сейчас этот метод широко используется во многих лабораториях мира и часто с участием ИЯФ СО РАН (CERN, GSI Германия, IMP Китай).
Важный вклад внесли работы А.Н. Скринского в разработку и создание лазеров на свободных электронах. В настоящее время в ИЯФ СО РАН завершено создание первого в мире четырехдорожечного ускорителя-рекуператора электронов, на базе которого работает Новосибирский лазер на свободных электронах с рекордными параметрами по средней мощности излучения в терагерцовом диапазоне длин волн. Международное признание поучила разрабатываемая с участием А.Н.Скринского концепция источников синхротронного излучения четвертого поколения на базе ускорителей с рекуперацией энергии.
Большой вклад внес А.Н.Скринский и в развитие прикладных работ на основе фундаментальных разработок ИЯФ СО РАН. Это, прежде всего – применение синхротронного излучения в различных областях науки и техники, разработка и создание промышленных ускорителей электронов, развитие электронно-лучевых технологий для разных отраслей экономики.
Сегодня в Новосибирске под научным руководством А.Н.Скринского продолжается реализация крупных ускорительных проектов в области физики высоких энергий, успешно работают коллайдеры ВЭПП-2000 и ВЭПП-4, введен в эксплуатацию новый инжекционной комплекс, разрабатывается проект принципиально новой установки – Супер Чарм-тау-фабрики – одного из наиболее амбициозных научных проектов в области физики высоких энергий не только в России, но и в мире.
А.Н.Скринский – выдающийся организатор науки. На протяжении 38 лет он возглавлял Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, в 2001-2004 г.г. был членом Совета при Президенте РФ по науке и высоким технологиям, длительное время руководил секцией ядерной физики Отделения физических наук РАН, был членом Президиума РАН.
А.Н.Скринский является лауреатом Ленинской премии (1967 г.), Государственной премии СССР (1989 г.), Государственной премии РФ (2001 г.), Государственной премии РФ (2006 г.), Демидовской премии (1997 г.), награжден золотой медалью РАН им. В.И.Векслера (1991 г.), золотой медалью РАН им. П.Л. Капицы (2004 г.), медалью ЦЕРН им. Дитера Мёля (2015 г.), удостоен премии им. Р.Р. Вилсона Американского физического общества (2001 г.), премии им. А.П.Карпинского (Фонд Топфера, Германия, 2003 г.). В 1999 году он избран действительным членом Американского физического общества, в 2000 году избран иностранным членом Королевской академии наук Швеции.
А.Н. Скринский награжден орденами Трудового Красного Знамени (1975 г.), Октябрьской Революции (1982 г.), «За заслуги перед Отечеством» IV степени (1996 г.), «За заслуги перед Отечеством» III степени (2000 г.), «За заслуги перед Отечеством» II степени (2006 г.).